 Samsung og�osi� rozpocz�cie masowej produkcji dysk�w NVMe PCIe SSD wykorzystuj�cych technologi� 3D V-NAND.
3D V-NAND posiada tr�jwymiarow� struktur� kom�rek pami�ci opart� o poprawion� technologi� Samsunga Charge Trap Flash. P�askie kom�rki s� uk�adane w pionie, dzi�ki czemu znika problem interferencji.
Nowy dysk oznaczony symbolem SM175 uka�e si� w dw�ch wersjach o pojemno�ci 1,6TB i 3,2 TB. Urz�dzenie mo�e pochwali� si� pr�dko�ci� odczytu sekwencyjnego wynosz�c� do 3000 MB/s oraz zapisu sekwencyjnego wynosz�cego do 2200 MB/s.
SSD Samsunga przeznaczone jest do ci�g�ej pracy do 10 pe�nych cykli przez pi�� lat. SM175 ma by� stosowany w systemach serwerowych.
�r�d�o: Tom's Hardware |
