 Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji dysków NVMe PCIe SSD wykorzystujących technologię 3D V-NAND.
3D V-NAND posiada trójwymiarową strukturę komórek pamięci opartą o poprawioną technologię Samsunga Charge Trap Flash. Płaskie komórki są układane w pionie, dzięki czemu znika problem interferencji.
Nowy dysk oznaczony symbolem SM175 ukaże się w dwóch wersjach o pojemności 1,6TB i 3,2 TB. Urządzenie może pochwalić się prędkością odczytu sekwencyjnego wynoszącą do 3000 MB/s oraz zapisu sekwencyjnego wynoszącego do 2200 MB/s.
SSD Samsunga przeznaczone jest do ciągłej pracy do 10 pełnych cykli przez pięć lat. SM175 ma być stosowany w systemach serwerowych.
Źródło: Tom's Hardware |
