Korea�ski Hynix Semiconductors poinformowa�a o wyprodukowaniu pierwszych uk�ad�w pami�ci DRAM DDR4 przeznaczonych dla tradycyjnych komputer�w i ECC-SODIMM dla system�w wykorzystywanych w przedsi�biorstwach.

Nowe modu�y zosta�y oparte na 30 nanometrowym procesie produkcyjnym i spe�niaj� wymogi JEDEC co te� pozwala je stosowa� w mikroserwerach.

W informacji przekazanej przez Hynix wynika, �e nowe modu�y korzystaj� w najbardziej zaawansowanych technik litografii, co zmniejsza zu�ycie energii elektrycznej oraz daje 50 procentowy wzrost wydajno�ci w por�wnaniu do obecnie stosowanych DDR3. W przypadku nowych modu��w DDR4 szczytowy transfer wynosi a� 2440 Mb/s gdzie w starszych DDR3 by�o to zaledwie 1333 Mbps.

Nowe modu�y DDR4 pracuj� z napi�ciem na poziomie 1.3V i korzystaj� z interfejsu o szeroko�ci 64 bit.

Do masowej produkcji nowe modu�y trafi� najprawdopodobniej dopiero w drugiej po�owie 2012 roku.