 Sp�ka IM Flash Technologies, b�d�ca sp�k� joint venture firm Intel oraz Mikron, zapowiedzia�a prace nad nowoczesnymi pami�ciami NAND nowej generacji.
Zaprezentowali oni pierwsze na �wiecie uk�ady NAND o pojemno�ci 128 Gb. Wykonane one zosta�y w 20 nanometrowej technologii z wykorzystaniem dielektryk�w o wysokiej sta�ej (Hugh-k) oraz tranzystory z metalow� bramk�.
Produkt ma by� zgodny ze specyfikacj� ONFI 3.0 i dostarcza� transfer rz�du 333 milion�w przes�a� na sekund�. Tak, wi�c dzi�ki po��czeniu o�miu uk�ad�w istnieje ogromna szansa uzyskania transfer rz�du terabita.
Za�o�eniem sp�ki jest wprowadzenie do sprzeda�y dysk�w twardych o pojemno�ci 2 TB dla obudowy 2.5 cala oraz 1.8 calowych o pojemno�ci 1 TB.
Co ciekawe, pierwsze pr�bki 128Gb pojawi� si� ju� w styczniu, za� ich produkcja ma ruszy� w pierwszym p�roczu 2012 roku. Na razie rozpocz�li masow� produkcj� w technologii 20 nm pami�ci NAND flash 64 Gb. Pojawi� si� one w tabletach, smartfonach oraz tradycyjnych dyskach SSD.
�r�d�o: Intel |
