 Intel szykuje si� do wprowadzenia pierwszych swoich uk�ad�w pami�ci NAND 3D zbudowanych w 64 warstwowej technologii i procesie 10 nanometr�w.
Jest to dla firmy jednocze�nie najbezpieczniejsza forma przej�cia do nowego procesu technologicznego. Dzieje si� tak, gdy� produkcja pami�ci nieulotnej obarczona jest niskim ryzykiem niepowodzenia.
Dzi�ki procesowi 10 nanometr�w wprowadzono 2.7 krotne zwi�kszenie liczby tranzystor�w (FinFET Hyper Scaling). Poprzez to pierwsze ko�ci pami�ci Intela b�d� mia�y wysokie g�sto�ci upakowania danych.
Pierwsze dyski SSD na tych pami�ciach b�d� zatem skierowane g��wnie do centr�w danych i mo�na ju� zak�ada�, �e nie b�d� to raczej tanie konstrukcje.
�r�d�o: techpowerup.com |
