Naukowcy z Rice University (USA) opracowali specjaln� pami��, kt�ra w d�u�szej perspektywie mo�e si� sta� alternatyw� dla dysk�w flash stosowanych w urz�dzeniach przeno�nych.

Stworzona pod okiem chemika Jamesa Toura pami�� jest przezroczysta i elastyczna. Wytrzymuje przy tym temperatur� dochodz�c� do 500 stopni Celsjusza co pozwala na jej stosowanie w na prawd� ekstremalnych warunkach.

Sama pami�� opiera si� na tlenku krzemu. Wszystko jest tr�jwarstwowe. W �rodku znajduje si� tlenek krzemu jako izolator. Na kraw�dziach znajduje si� elektrody.

Kana�y czystych kryszta��w krzemu maj� oko�o 5 nanometr�w grubo�ci. Kiedy pojawia si� napi�cie, atomy tlenu s� oddzielane od tlenku krzemu tworz�c przewodnik. Mniejsze napi�cie przywraca stan izolatora, a kom�rka taka wykazuje w�a�ciwo�ci prze��cznika tworz�cego nieulotn� pami��. Po prostu mo�emy m�wi� o przewodzeniu lub nie pr�du w danej kom�rce.

Opr�cz elastyczno�ci i przejrzysto�ci, nowa pami�� ma jeszcze jedn� zalet�, jej elementy mog� by� rozmieszczane w tablicy tr�jwymiarowej. To ju� otwarta droga do zwi�kszania g�sto�ci przechowywanej informacji.

W tej chwili pami�� jest ju� wyprodukowana i przetestowana, charakteryzuje si� te� du�� szybko�ci�. Teraz naukowcy chc� negocjowa� z producentami gad�et�w nad zorganizowaniem masowej produkcji.

�r�d�o: compulenta.ru