Firma Samsung poinformowa�a, �e sko�czy�a opracowywa� i wdra�a� w produkcji 8-nanometrowe tranzystory w technologii FinFET (8LPP).

Technologia ta pozwala na oszcz�dno�� zu�ycia energii nawet o 10% przy jednoczesnym zmniejszeniu pola obwod�w w por�wnaniu z technologi� 10 nm.

Dzi�ki takim osi�gom oczekuje, si� �e zyska ona szybko wysoki odsetek produkt�w uzyskanych w tej technologii.

Samsung doda�, �e kwalifikacja 8LLP zosta�a zako�czone 3 miesi�ce przez planowanych terminem. Jeszcze nie wiadomo kiedy na rynku b�d� dost�pne pierwsze urz�dzenia wyprodukowane z komponent�w w tech technologii.

�r�d�o: ixbt.com