 Samsung Electronics zaprezentowa� sw�j nowy procesor klasy Premium w postaci modelu Exynos 9 Series 8895. Jest to pierwszy uk�ad tej firmy oparty na 10 nanometrowej technologii rezystor�w FinFET 3D.
Nowa technologia da 30 procentowy wzrost wydajno�ci w stosunku do powierzchni i o 40 procent obni�y zu�ycie energii w stosunku do uk�ad�w 14 nanometrowych.
Tej samej technologii u�yto ju� w najwy�szej klasie procesor�w Qualcomm Snapdragon 835, kt�ry powsta� przy wsp�pracy z Samsungiem.
Wed�ug producenta, Exynos 9 Series 8895 otrzyma wsparcie dla ��czno�ci LTE 5CA co da pobieranie z pr�dko�ci� 1 Gb/s i wysy�anie z pr�dko�ci� 150 Mbps.
Procesor ten otrzyma osiem rdzeni, z czego cztery z nich to konstrukcja Samsunga, za� 4 pozosta�e to Cortex-A53. Wbudowany zostanie te� uk�ad grafiki Mali-G71, kt�ry powinien sobie radzi� z grami nawet rz�du 4K UHD z pr�dko�ci� 120 FPS, a nawet z wirtualn� rzeczywisto�ci�.
�r�d�o: ferra.ru |
