Samsung Electronics CO Ltd, �wiatowy lider w dziedzinie zaawansowanych rozwi�za� p�przewodnikowych, og�osi� w�a�nie zako�czenie rozwoju pierwszego etapu budowania pami�ci DDR4 z u�yciem 30 nanometrowego procesu technologicznego.

"Samsung aktywnie wspiera bran�� IT w inicjatywie ekologicznych pami�ci, produkt�w innowacyjnych oraz pami�ci oferuj�cych wydajno�� i energooszcz�dno��", powiedzia� Dong Soo Jun, prezes ds pami�ci Samsung Electrnics. "Nowe DRAM DDR4 zbuduje jeszcze wi�ksze zaufanie do naszych najnowszych zielonych pami�ci, szczeg�lnie gdy wprowadzimy pami�ci 4 GB DDR4".

Nowe modu�y RAM b�d� w stanie osi�gn�� transfer danych na poziomie 2.133 gigabita i to przy napi�ciu 1.2V. R�wnowa�ny proces produkcji dla pami�ci DDR3 daje tylko 1.6 Gb/s przy zasilaniu 1.5 oraz 1.35V. Samsung b�dzie w stanie uruchomi� produkcj� nawet uk�ad�w o pr�dko�ci 3.2 Gbps.

Nowe modu�y korzystaj� z nowej technologii Pseudo Open Drain (POD), kt�ra zosta�a opracowana dla wysokiej wydajno�ci uk�ad�w graficznych DRAM, co umo�liwia im prac� z o po�ow� mniejszym zapotrzebowaniem na pr�d ni� posiadaj� pami�ci DDR3. Samsung obecnie planuje rozpocz�� wsp�prac� z producentami serwer�w, aby ustandaryzowa� nowe pami�ci.

�r�d�o: techpowerup