 Jako prawdziwy pionier w dziedzinie pami�ci, Samsung Electronics Ltd og�osi� dzisiaj, �e rozpoczyna masow� produkcj� pierwszych w bran�y pami�ci 16 gigabitowych typu GDDR6.
Nowe pami�ci maj� znale�� swoje miejsce w zaawansowanych systemach przetwarzania grafiki, co w skr�cie oznacza jeszcze wydajniejsze karty graficzne.
Zbudowano je w zaawansowanej technologii 10 nanometr�w co w por�wnaniu z procesem 20nm dla pami�ci GDDR5 pozwoli�o te� podwoi� ich pojemno��. Nowe modu�y dzia�aj� przy tym z wydajno�ci� 18 gigabit�w na sekund� na pin co stanowi a� 72 GB/s pr�dko�ci efektywnej.
Modu�y te pracuj� przy napi�ciu 1.35V co daje kolejny skok w stosunku do GDDR5 (1.55V). Patrz�c na to oraz na ich nowe pami�ci HBM2 2.4 Gbps 8GB, Samsung mo�e radykalnie przyspieszy� przysz�e rozwi�zania graficzne.
�r�d�o: techpowerup.com |
