 Samsung jest ju� gotowa zasi��� do pokerowego sto�u RAM, gdy� zacz�a w�a�nie produkcj� nowych pami�ci DDR3 w 40 nanometrowym procesie technologicznym.
Nowe pami�ci b�d� posiada�y pojemno�� 4Gb. Nowy, wysokiej g�sto�ci proces produkcyjny pozwoli tym pami�ciom pracowa� przy zasilaniu oko�o 1.5 lub nawet 1.35V przy cz�stotliwo�ci 1600MHz. Modu�y te b�d� stosowane dla pami�ci 16GB i 32GB RDIMM, a tak�e dla 8GB SO-DIMM.
Firma wprowadzi�a swoje pierwsze uk�ady 40nm dla DDR3 w lipcu zesz�ego roku. Dong-soo Jun, wiceprezes dzia�u marketingu pami�ci Samsung Electronics powiedzia�: "Teraz, zaledwie siedem miesi�cy p�niej, wprowadzili�my nowe ulta-niskiego napi�cia zielone pami�ci 'Green Memory' w postaci pami�ci 4Gb DDR3, kt�re podwajaj� g�sto�� swojego poprzednika. W module 16GB opartym na 4Gb mo�emy zaoszcz�dzi� do 35 procent zu�ycia energii".
Obecnie Samsung zamierza przenie�� ponad 90% swojej produkcji DDR DRAM do klasy technologicznej 40nm.
�r�d�o: tcmagazine |
