 Samsung chcąc być potentatem na rynku dysków SSD rozpoczyna masową produkcję układów NAND Flash 128 gigabit.
Nowa generacja produktów wykonywana jest w technologii Multi-Level Cell MLC 3 bit w klasie 10 nm.
Oferują one wydajność na poziomie do 400 Mbps i interfejs Toggle DDR2. To ponad trzy razy więcej od Toggle DDR1 z 133 megabitami.
Zgodnie z oczekiwaniami, nowe układy będą wykorzystywane w dyskach o pojemności 500 GB i więcej.
Poprzednie układy 10 n,m MLC 64 bit weszły do produkcji w listopadzie zeszłego roku. W zaledwie pięć miesięcy wprowadzono nowe układy. Samsung tym potwierdza, że zamierza utrzymać rozwój najnowocześniejszych dysków SSD na rynku.
źródło: Samsung |
