Samsung chc�c by� potentatem na rynku dysk�w SSD rozpoczyna masow� produkcj� uk�ad�w NAND Flash 128 gigabit.

Nowa generacja produkt�w wykonywana jest w technologii Multi-Level Cell MLC 3 bit w klasie 10 nm.

Oferuj� one wydajno�� na poziomie do 400 Mbps i interfejs Toggle DDR2. To ponad trzy razy wi�cej od Toggle DDR1 z 133 megabitami.

Zgodnie z oczekiwaniami, nowe uk�ady b�d� wykorzystywane w dyskach o pojemno�ci 500 GB i wi�cej.

Poprzednie uk�ady 10 n,m MLC 64 bit wesz�y do produkcji w listopadzie zesz�ego roku. W zaledwie pi�� miesi�cy wprowadzono nowe uk�ady. Samsung tym potwierdza, �e zamierza utrzyma� rozw�j najnowocze�niejszych dysk�w SSD na rynku.

�r�d�o: Samsung