Samsung Electronics rozpocz�� masow� produkcj� pierwszych w bran�y 4 bitowych - 4 terabajtowych dysk�w przeznaczonych dla zwyk�ych u�ytkownik�w.

Dyski te bazuj� na 1-terabitowych modu�ach V-NAND QLC odpowiadaj�cym wydajno�ci� modu�om 3-bitowym. Samsung wierzy, �e jego dyski szybko si� rozprzestrzeni� na rynku. Dzi�ki nim Samsung chce te� budowa� 128GB modu�y dla smartfon�w. Problemem podej�cia 4-bitowego jest to, �e pojemno�� ro�nie ale spada wydajno��. Tutaj Samsungowi mia�o si� uda� zachowa� wydajno�� przy wzro�cie pojemno�ci.

Do budowy wykorzystano 32 takie uk�ady oparte na 64 warstwowej pami�ci V-NAND czwartej generacji. Samsung deklaruje ich wydajno�� w odczycie na poziomie 540 MB/s i zapis dochodz�cy do 520 MB/s. W obudowie 2.5 cala klienci b�d� mogli wybiera� w�r�d pojemno�ci 1, 2 lub 4TB.

�r�d�o: techpowerup.com