 Wsp�lnie firmy SanDisk oraz Toshiba poinformowa�y o nowym osi�gni�ciu jaki jest stworzenie uk�adu pami�ci flash typu NAND drugiej generacji.
Ka�da kom�rka przechowuje dwa bity danych, na ca�ym uk�adzie mo�na przechowa� 128 GB. G��wnym zastosowaniem uk�ad�w b�d� dyski p�przewodnikowe.
Pilota�owa produkcja powinna rozpocz�� si� w fabryce Jokkaiti w drugiej po�owie tego roku. Seryjnej produkcji mo�na si� spodziewa� w 2016 roku.
Do tego czasu w Jokkaiti powinna powsta� nowa fabryka w miejscu Fab2, w kt�rej maj� by� seryjnie produkowane uk�ady 3D NAND flash.
�r�d�o: ixbt.ru |
