Sapphire Technology przyzwyczai�o ju� nas, �e po up�yni�ciu pewnego okresu czasu od momentu premiery danego uk�adu graficznego producent wydaje wzbogacone modele kart graficznych: Vapor-X - rozbudowan� o profesjonalny system ch�odzenia o tej�e nazwie oraz wersj� TOXIC, kt�ra opr�cz ch�odnicy Vapor-X pochwali� si� mo�e fabrycznie zawy�on� cz�stotliwo�ci� zegar�w rdzenia i pami�ci wideo.

Tak jest mi�dzy innymi w przypadku uk�adu ATI Radeon HD 5870. Dwa miesi�ce po jego premierze na rynku ukaza� si� model Sapphire HD 5870 Vapor-X. Dzi� Sapphire wprowadza Sapphire TOXIC HD5870 Vapor-X, kt�ra bez dw�ch zda� staje na czele listy najwydajniejszych jednordzeniowych kart graficznych �wiata.

W karcie zwi�kszono przede wszystkim rozmiar pami�ci wideo z klasycznej warto�ci 1024MB do warto�ci 2048MB. Standard oraz szyna dost�pu, czyli DDR5 i 256-bit pozostaj� te same. Nieznacznie, ale jednak wywindowano cz�stotliwo�� pracy pami�ci do 4900MHz (rzeczywiste 1225MHz). Znacznego post�pu dokonano, je�eli chodzi o rdze� graficzny. Jego zegar z warto�ci domy�lnej 850MHz podkr�cono do 925MHz, co przebija nawet "z�ot� kart�" MSI R5870 Lightning. To w�a�nie kluczowe nowo�ci w modelu TOXIC. Jak wiadomo kompatybilny jest on sprz�towo z technologi� DirectX 11, Shader Model 5.0 oraz trybem wielomonitorowym ATI Eyefinity, ale o tym rozpisywali�my si� ju� niejednokrotnie na �amach naszego portalu. Dla przypomnienia dodam, �e 40-nanometrowy proces technologiczny, w kt�rym wyprodukowano rdze� ATI Radeon HD 5870 przyczynia si� mi�dzy innymi do znikomego poboru mocy podczas obci��enia, kt�re nie przekracza 190W ! Ponadto funkcja Dynamic Power Management zmniejsza zu�ycie mocy do 27W w trybie 2D.

Ch�odzenie Vapor-X zastosowane w prezentowanym modelu TOXIC, to bardziej zaawansowany technologicznie konwencjonalny system bazuj�cy na miedzianej bazie kontaktowej i rurkach cieplnych heat-pipe. W przypadku Vapor-X powierzchnia bazy, czyli elementu coolera, kt�ry jest bezpo�rednio zetkni�ty z rdzeniem graficznym GPU, jest wi�ksza gabarytowo. G��wnie z tego wzgl�du, �e w jej wn�trzu znajduje si� medium ciek�e. Pod wp�ywem temperatury ciecz zaczyna odparowywa�, przez co oddaje potencja� cieplny poprzez g�rn� powierzchni� bazy do radiatora. Nast�pnie ze stanu gazowego poprzez skraplanie staje si� z powrotem ciecz�. W dodatku ciep�o przekazywane jest do radiatora poprzez system ciep�owod�w heat-pipe.

Do zestawu Sapphire TOXIC HD5870 Vapor-X 2GB do��czono gr� Dirt 2 oraz oprogramowanie SimHD wydobywaj�ce potencja� z technologii sprz�towej akceleracji transkodowania wideo.

�r�d�o: Sapphire Technology