Firma Toshiba ro�pocz�a prace zmierzaj�ce do stworzenie modu�u NAND flash z tr�jwymiarow� architektur�.

W 2013 roku firma chce zaproezentowa prototyp nowej generacji pami�ci o pojemno�ci 128 lub 256 GB a w 2014 roku firma planuje wyda� pr�bki in�ynierskie. Masowa produkcja zosta�a zaplanowana na 2015 rok. Firma planuje produkcj� pami�ci do 512 GB pojemno�ci. W przysz�o�ci Toshiba chce produkowa� pami�ci o pojemno�ci 1 TB lub wi�cej.

Ponadto Toshiba nied�ugo zaprezentuje pr�bki in�ynierskie pami�ci ReRAM z tr�jwymiarow� architektur�. Pami�� ReRAM (lub RRAM) ��czy w sobie zalety pami�ci DRAM i pami�ci NAND FLASH. Chipy ReRAM zapewniaj� takie same pr�dko�ci jak DRAM, pozostaj�c pami�ci� nieulotn�. Nowe pami�ci charakteryzuj� si� ni�szym zu�ycem energii i wi�ksz� liczb� cykli zapisu.

Toshiba jest r�wnie� zaanga�owana w rozw�j STT-MRAM (Spin-Torque Transfer, STT). Technika ta ma na celu rozwi�zanie problem�w, kt�re "klasyczna" technologia MRAM nied�ugo b�dzie posiada� w obliczu wzrastaj�cej g�sto�ci zapisu kom�rek pami�ci oraz zwi�kszenie zapisu. MRAM s� wykorzystywana jako pami�� cache w dyskach SSD.

�r�d�o: compulenta.ru