 Toshiba Corporation opracowa� now� generacj� pami�ci Flash NAND wykonanych w 19 nanometrowym procesie produkcyjnym.
W ich produkcji wykorzystywana jest technologia 2-bit-per-cell. Uk�ady te s� 64 gigabitowe, a ich powierzchnia wynosi zaledwie 94 milimetry kwadratowe.
Nowe uk�ady pozwalaj� uzyskiwa� zapis rz�du 25 megabajt�w na sekund�.
Jednocze�nie Toshiba pracuje ju� nad jeszcze nowszymi uk�adami 3-bit-per-cell. Ich masowa produkcja mog�aby ruszy� jeszcze w tym roku. Uk�ady te mog�yby na pocz�tek znale�� zastosowanie w smartfonach i tabletach poprzez kontrolery zgodne z eMMC, a p�niej tak�e w tabletach w ramach dysk�w SSD.
�r�d�o: techpowerup.com |
