Naukowcy z Korea�skiego Instytutu Nauk i Technologii KAIST przedstawili propozycj� nowych pami�ci rezystancyjnych RRAM.

Opracowana technologia pozwala na tworzenie w pe�ni funkcjonalnych pami�ci, przy czym odczyt i zapis do nich, realizowany w losowej kolejno�ci, odbywa si� w rozs�dnym tempie.

Wa�nym elementem jest tutaj to, �e KAIST rozwi�za� problem zak��ce� pomi�dzy s�siaduj�cymi kom�rkami pami�ci. Aby to by�o mo�liwe zastosowano w elastycznym pod�o�u wysokiej jako�ci tranzystory krzemowe oraz memrystory. Memrystory s� to pasywne uk�ady rezystora, kondensatora oraz cewki indukcyjnej.

Kluczow� cech� tego elementu to histereza, gdzie stan systemu okre�lany jest przez jego w�asn� histori�. Pr�d przep�ywaj�cy przez memrystor powoduje wyst�powanie zmian w strukturze atomowej. S� to po prostu oporniki z pami�ci� i pozwalaj� tworzy� pami�ci nieulotne.

Naukowcy maj� nadziej� na to, �e opracowana przez nich technologia pozwoli na tworzenie elastycznych pami�ci, kt�re trafi� do r�wnie elastycznej elektroniki. Na razie jednak nie wiadomo kiedy uda si� skomercjalizowa� ten pomys�.

�r�d�o: compulenta,ru